Тесты Samsung Galaxy S6 на скорость работы встроенной памяти показывают великолепные результаты

Помните, как чуть более недели назад мы сообщали вам, что компания Samsung представила более скоростную флэш-память для смартфонов и планшетов собственной разработки и, возможно, что их новый флагаманский смартфон Galaxy S6 будет оснащен ею.

С тех пор утекло много воды, Samsung Galaxy S6 был официально представлен и мы узнали, что его встроенная память действительно выполнена на базе чипов флэш-памяти стандарта UFS 2.0. Теперь, для «полного счастья» неплохо было бы узнать, действительно ли встроенная память Galaxy S6 быстрее, чем у других смартфонов.

Выяснением этого вопроса занялись наши коллеги с сайта Phone Arena, которые провели тестирование скорости работы встроенной памяти новинки в тестах на чтение и запись в приложении Androbench.

Прежде чем перейти к результатам тестов, напомню, что компания Samsung при презентации новой флэш-памяти UFS 2.0 NAND обещала нам, что она будет иметь скорость последовательного чтения/записи данных в 350 и 150 МБ/сек., что в 1.4 и 1.6 раза выше, чем у нынешней памяти стандарта eMMC.

Как же обстоят дела в реальности? Давайте посмотрим, что показал нам тест Samsung Galaxy S6 на скорость работы его встроенной памяти.

Скорость последовательного чтения:

Как видим, в тесте Androbench на скорость последовательного чтения данных из встроенной памяти, Galaxy S6 оставил далеко позади себя такие устройства, как Note 4, Xperia Z3, Nexus 6, Galaxy S5 и пр. К сожалению, в тесте не участвовал еще один представленный недавно флагман, HTC One M9, оснащенный встроенной памятью eMMC, но судя по диаграмме, его результаты вполне предсказуемы.

Пойдем дальше. Тест на скорость последовательной записи выглядит следующим образом:

Конечно, тесты на последовательную запись/чтения не отражают повседневный режим работы флэш-памяти в наших смартфонах и планшетах и для оценки этого более подойдут тесты на случайное чтение/запись, но они хорошо показывают насколько быстрее Galaxy S6 будет работать с большими файлами, такими как фото и видео, по сравнению со своими конкурентами.

А вот так выглядит тест работы флэш-памяти UFS 2.0 NAND в Galaxy S6 на скорость случайного чтения:

Скорость случайной записи:

И здесь мы видим, что новый корейский флагман, как и было обещано нам ранее, действительно оснащен весьма и весьма скоростной встроенной памятью. 

Похожие материалы:

Samsung Galaxy S6 Edge замечен в тесте AnTuTu 

NVIDIA Tegra X1 замечен в тесте AnTuTu с отличным результатом в 75 000 баллов 

Samsung Galaxy S6 будет действительно быстрым. Подтверждение – официальный тизер Samsung (Видео) 

KitKat против Lollipop в тестах на быстродействие процессора и графики, а также использования заряда батареи