Samsung работает над защищенной версией Galaxy Note 3?

Вы наверное, заметили, что среди японских производителей планшетов и смартфонов наметилась устойчивая тенденция по оснащению своих устройств пыле и влагозащитными корпусами, что выгодно отличает их от изделий корейских, тайваньских, американских и китайских конкурентов.

И действительно, для многих из нас возможность выживания смартфона или планшета после его купания в ванной, море или простой луже оказалась бы явно не лишней. Например, лично я бы не отказался бы от того, чтобы Samsung Galaxy Note 3, обладающий целым рядом достоинств и интересных возможностей можно бы было использовать в сложных погодных условиях и спокойно погружать под воду.

И, похоже, что в скором будущем такая версия Galaxy Note появится на прилавках наших магазинов.

Как сообщает южнокорейское издание ET News, Samsung планирует выпустить на рынок последнюю версию своего фаблета, в устойчивом от попадания внутрь него пыли и влаги корпусе. (Кроме этого, они сообщают о скором дебюте смартфона Galaxy S5 Active, который буде преемником Galaxy S5 Active).

Это, конечно, приятная новость для тех, кто планировал в ближайшее время обзавестись новым планшетофоном корейской компании, тем не менее, не стоит забывать, что добавление новых, довольно серьезных опций может означать, что и без того достаточно высокая цена Samsung Galaxy Note 3 в результате этого может подняться на недоступный для некоторых из нас уровень.

Осталось дождаться официальных сведений от производителя, которые или подтвердят или опровергнут приведенную выше информацию. Лично мне, как я уже упоминал, идея всепогодного Galaxy Note весьма и весьма нравится.

Похожие материалы:

Водонепроницаемый Android планшет Fujitsu Stylistic M702 будет представлен на CeBIT 2013 

Планшет Fujitsu Arrows Tab FJT21. Сканер отпечатков пальцев и великолепные технические характеристики 

Sony работает над 10-дюймовым планшетом Xperia Tablet следующего поколения 

Sony Xperia Z Ultra официально: 6.4-дюймовый экран, Qualcomm Snapdragon 800 и Android 4.2