Snapdragon 875. Будущий процессор Qualcomm, работающий на частоте 2,84 ГГц набрал в тестах AnTuTu 899 401 балл

Известный китайский инсайдер Digital Chat Station поделился свежим результатом тестов одного из прототипов смартфона, выполненного на базе готовящегося к выпуску процессора Qualcomm для устройств флагманского уровня: Snapdragon 875.

На опубликованном им скриншоте мы видим, что процессор имеющий кодовое наименование Lahaina, способен обеспечить устройствам, выполненным на его базе высочайшее быстродействие: в этот раз итоговая оценка 899 401 балл, что более чем на 51000 выше, чем результат из предыдущей утечки AnTuTu, составлявший 847 868 баллов.

В частности, безымянный смартфон с процессором Qualcomm Snapdragon 875 на борту в этот раз набрал 333246 баллов в тесте быстродействия процессора и 342225 баллов в тесте на скорость обработки графики. В тесте скорости памяти устройство получило 98 772 балла, а тест на скорость работы встроенной памяти завершился с результатом 125 135 баллов.

Напомним, что если верить слухам, речь идет о восьмиядерном процессоре, который будет производиться с использованием 5-нм технологии и который будет иметь компоновку вычислительных ядер «1 + 3 + 4», где «1» - это сверхмощное ядро Cortex X1, максимальная производительность которого на 23% выше, чем у самых мощных на сегодняшний день ARM Cortex A78 ядер.

Похожие материалы:

• Процессор Qualcomm Snapdragon 875 будет выпускаться на заводах Samsung
• MediaTek Dimensity 800U. Новый процессор для 5G смартфонов среднего уровня
• Qualcomm Snapdragon 732G 5G. Новый процессор для мобильных устройств официально представлен
• Samsung Exynos 1080. Новый процессор для устройств выше среднего и топового уровня дебютирует 12 ноября
• Qualcomm Snapdragon 750G. Новый процессор для мобильных устройств выше средней ценовой категории с расширенными игровыми возможностями и поддержкой 5G
• Смартфоны с большими объемами оперативной памяти станут еще дешевле: Samsung начинает массовое производство 16 ГБ памяти LPDDR5 DRAM на крупнейшей в мире производственной линии по производству полупроводников