Toshiba представила высокоскоростные чипы флеш-памяти UFS 3.0 для смартфонов и прочих гаджетов

Мощность процессоров наших смартфонов постоянно растет, но все мы знаем что их быстродействие также зависит и от типа оперативной и встроенной памяти, работающей с ними в паре.

Ранее в смартфонах использовалась встроенная памяти типа eMMC, а позже ей на смену пришли заметно более скоростные чипы типа UFS. В настоящее время многие флагманы мобильного рынка имеют на своем борту память типа UFS 2.1, но ей уже идет на смену новый стандарт UFS 3.0, способный увеличить быстродействие встроенного хранилища чуть ли не вдвое.

В прошлом году чипы UFS 3.0, анонсировала компания Samsung, а теперь еще один крупный игрок этого рынка, компания Toshiba объявила о своей памяти этого стандарта.

Она уже может похвастаться готовыми образцами таких чипов, обеспечивающих прирост скорости чтения данных на 70%, а скорости записи — на 80% по сравнению с памятью предыдущего поколения.

В настоящий момент речь идет об UFS 3.0 чипах Toshiba с объемом 128 ГБ, но уже в марте нынешнего года партнеры компании получат 256-ГБ и 512-ГБ их версии.

Эти чипы будут использоваться не только в смартфонах, но и в планшетах, а также устройствах виртуальной реальности, где они смогут обеспечить более высокую скорость работы с мультимедийными данными и в таких приложениях, как игры.

источник

Похожие материалы:

Новые сверскоростные карты памяти SDUC будут иметь емкость до 128 ТБ и скорость до 985 МБ/секунду

Samsung начнет производить скоростную оперативную память LPDDR5 и флеш-память типа UFS 3.0 в этом году

Samsung Galaxy S10. Смартфоны этой линейки оснастят скоростной оперативной памятью LPDDR

Samsung Exynos 9820. Новый 8-нанометровый чип с мощным нейропроцессором и заметно ускоренной графикой